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AO4447AL中文资料

  • 大小:167.04KB
  • 厂家:AOSMD [Alpha & Omega Semiconductors]
  • 描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):105 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5500 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

AO4447AL供应商

更新时间:2023-01-31 00:14:56
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